《Journal of Semiconductors》雜志的收稿方向主要包括：研究快報、研究論文、研究簡報、技術進展等。

該雜志收稿方向廣泛，涵蓋了電力的多個重要領域和前沿話題，為電力工作者和研究者提供了一個交流和分享學術成果的重要平臺。

《Journal of Semiconductors》雜志投稿要求

（1）摘要不應簡單地重復題名中已出現過的信息，不需要背景或知識性的介紹，不要把引言和結論中敘述性的內容，以及學科領域內常識性的內容寫入摘要，也不要有自我評價的語句。

（2）正文標題與層次：文內標題力求簡潔、明確，層次一般不超過4級。論文各層次標題一律用阿拉伯數字連續編號，如“1”，“1.1”，“1.1.1”等。

（3）正文標題層次一級標題1，2，…，二級標題用1．1，1．2，…，三級標題用1．1．1，1．1．2，…，以此類推。標題層次一般不超過4級。

（4）來稿應注重學術性和理論性，并且要選題新穎、內容充實、論證嚴謹、條理清晰、文字簡練。

（5）請在投稿時提供完整個人信息（姓名、職稱、職務、工作單位、地址、郵編、電話、電子郵箱等）。

（6）來稿中的數學公式、曲線圖、數據表格，務必字跡清楚、規范、圖形清晰。數學公式、有關數據請核對準確。圖表需有引文。

（7）注釋：將注釋按正文中出現的先后順序排列編號，用數字加圓圈標注，并集中排列在正文后。

（8）評審與出版流程：了解學術期刊的評審流程、時間要求以及出版時間表是非常重要的。這會幫助您安排好稿件的提交時間，并了解可能的出版時間。

（9）參考文獻的編號按正文中首次出現的次序連續排列，用阿拉伯數字加方括號標于上角，并按引用順序排列于文末。

（10）獲基金資助的論文，應注明基金項目名稱及基金項目編號，且按有關部門規定的正式名稱填寫; 如獲多項基金資助，應依次列出。

《Journal of Semiconductors》雜志是由中國科學院主管和中國科學院半導體研究所;中國電子學會主辦的學術理論期刊，創刊于1980年，國內外公開發行，國際刊號ISSN為1674-4926，國內刊號CN為11-5781/TN，該雜志級別為CSCD期刊、統計源期刊，預計審稿周期為1-3個月。

該雜志在學術界具有較高的影響力，多次獲得國內外權威獎項，如全國優秀科技期刊、中國科技期刊優秀期刊等。

在收錄方面，《Journal of Semiconductors》雜志被多個知名數據庫收錄，包括：CSCD 中國科學引文數據庫來源期刊(含擴展版)、統計源期刊(中國科技論文優秀期刊)、知網收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、EI 工程索引(美)、CA 化學文摘(美)、SA 科學文摘(英)、JST 日本科學技術振興機構數據庫(日)、Pж(AJ) 文摘雜志(俄)、劍橋科學文摘、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏、文摘與引文數據庫、文摘雜志等，在電力領域具有較高的學術價值和影響力，是電力研究者和實踐者的重要參考刊物。