《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志投稿要求，如下：

（1）請勿一稿多投，嚴(yán)禁抄襲、剽竊。

（2）論文內(nèi)容要求：題目、作者姓名、單位、摘要、關(guān)鍵詞、圖題和表題、基金、第一作者簡介。

（3）引言言簡意賅，突出重點。不應(yīng)過多敘述同行熟知及教科書中的常識性內(nèi)容，引言作為論文的開端，主要回答“為什么研究”這一問題。

（4）參考文獻要求在文中對應(yīng)處以上角標(biāo)形式按引用順序標(biāo)出序號。作者超過3個時，只著錄前3個，其后以“，”斷開加“等”。

（5）注釋：解釋題名、作者及某些內(nèi)容，均可使用注釋。能在文章內(nèi)用括號注釋的，盡量不單獨列出；不隨文列出的注釋，標(biāo)注符號應(yīng)注在需要注釋的詞、詞組或語句的右上角，用①，②，③……表示，并于文后依次列出。

《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志是由重慶光電技術(shù)研究所主辦的季刊，審稿周期預(yù)計為1個月內(nèi)。該雜志的欄目設(shè)置豐富多樣，涵蓋科技論文 研究報告 性能分析 產(chǎn)品介紹 光電技術(shù)應(yīng)用 學(xué)術(shù)爭鳴等。

該雜志為學(xué)者們提供了一個交流學(xué)術(shù)成果和經(jīng)驗的平臺，發(fā)表的文章具有較高的學(xué)術(shù)水平和實踐價值，為讀者提供更多的實踐案例和行業(yè)信息，得到了廣大讀者的廣泛關(guān)注和引用。